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Samsung PM9E1 MZVLC4T0HBL1-00B07 4096GB M.2 PCI Express Gen.5 x4 Solid State Drive
Samsung PM9E1 MZVLC4T0HBL1-00B07 4096GB M.2 PCI Express Gen.5 x4 Solid State Drive

Samsung PM9E1 MZVLC4T0HBL1-00B07 4096GB M.2 PCI Express Gen.5 x4 Solid State Drive

por Samsung
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Samsung PM9E1 MZVLC4T0HBL1-00B07 4096GB M.2 PCI Express Gen.5 x4 Solid State Drive

Product Specification:
Manufacturer No: MZVLC4T0HBL1-00B07
Package: BULK
Unit: 300
List No: 00010
Spec Order: N
Is Domestic Only: N


Features:PCIe Gen 5.0, 32 Gb/s interface, up to 4 lanesPCI Express Base Specification Rev. 5.0PCI Express M.2 Specification Rev. 5.0NVMe Specification Rev. 2.0cPower Saving Modes: APST (Autonomous Power State Transition) support L1.2 low-power mode supportSupports Admin & NVM Command SetsRoHS and Halogen-Free compliantHardware-based AES-XTS 256-bit encryption engine (SED)TCG Opal 2.0 compliant (Self-Encrypting Drive)
Drive Configuration: Capacity: 4096 GB (4 TB) Form Factor: M.2 2280 Interface: PCIe Gen 5.0 x4 (NVMe) Bytes per Sector: 512 bytes
Performance: Sequential Read: Up to 14,500 MB/s Sequential Write: Up to 12,600 MB/s Random Read (4K, QD32): Up to 2,000,000 IOPS Random Write (4K, QD32): Up to 2,640,000 IOPS
Reliability: Uncorrectable Bit Error Rate: < 1 sector per 10¹⁵ bits read MTBF (Mean Time Between Failures): 1.5 million hours
Environmental Specifications: Operating Temperature: 0°C to 70°C Non-operating Temperature: -40°C to 85°C Non-operating Humidity (non-condensing): 5% to 95% Non-operating Shock (0.5ms, 1/2 sine wave): 1500 G peak Non-operating Vibration (20–2,000 Hz, sinusoidal): 20 G
Power: Supply Voltage / Tolerance: 3.3V ± 5%Active Power (Typical, RMS):Read: 8.92 WWrite: 8.21 W Idle Power (Typical): 10 mW Sleep Power (Typical): 7 mW

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Descrição, características do produto

Samsung PM9E1 MZVLC4T0HBL1-00B07 4096GB M.2 PCI Express Gen.5 x4 Solid State Drive

Product Specification:
Manufacturer No: MZVLC4T0HBL1-00B07
Package: BULK
Unit: 300
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Features:PCIe Gen 5.0, 32 Gb/s interface, up to 4 lanesPCI Express Base Specification Rev. 5.0PCI Express M.2 Specification Rev. 5.0NVMe Specification Rev. 2.0cPower Saving Modes: APST (Autonomous Power State Transition) support L1.2 low-power mode supportSupports Admin & NVM Command SetsRoHS and Halogen-Free compliantHardware-based AES-XTS 256-bit encryption engine (SED)TCG Opal 2.0 compliant (Self-Encrypting Drive)
Drive Configuration: Capacity: 4096 GB (4 TB) Form Factor: M.2 2280 Interface: PCIe Gen 5.0 x4 (NVMe) Bytes per Sector: 512 bytes
Performance: Sequential Read: Up to 14,500 MB/s Sequential Write: Up to 12,600 MB/s Random Read (4K, QD32): Up to 2,000,000 IOPS Random Write (4K, QD32): Up to 2,640,000 IOPS
Reliability: Uncorrectable Bit Error Rate: < 1 sector per 10¹⁵ bits read MTBF (Mean Time Between Failures): 1.5 million hours
Environmental Specifications: Operating Temperature: 0°C to 70°C Non-operating Temperature: -40°C to 85°C Non-operating Humidity (non-condensing): 5% to 95% Non-operating Shock (0.5ms, 1/2 sine wave): 1500 G peak Non-operating Vibration (20–2,000 Hz, sinusoidal): 20 G
Power: Supply Voltage / Tolerance: 3.3V ± 5%Active Power (Typical, RMS):Read: 8.92 WWrite: 8.21 W Idle Power (Typical): 10 mW Sleep Power (Typical): 7 mW

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