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Samsung MZ-VAP4T0BW 9100 PRO 4TB PCIe Gen 5.0 NVMe 2.0 M.2 2280 SSD
Samsung MZ-VAP4T0BW 9100 PRO 4TB PCIe Gen 5.0 NVMe 2.0 M.2 2280 SSD

Samsung MZ-VAP4T0BW 9100 PRO 4TB PCIe Gen 5.0 NVMe 2.0 M.2 2280 SSD

por Samsung
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The Samsung MZ-VAP4T0BW 4TB is a single-sided M.2 2280 NVMe PCIe Gen 5.0 x4 solid-state drive manufactured by Samsung as part of their 9100 PRO Series. This high-capacity drive features 4 GB LPDDR4X cache, Samsung V-NAND TLC, delivers sequential read and write speeds up to 14,800 MB/s and 13,400 MB/s with random performance up to 2,200,000 IOPS read and 2,600,000 IOPS write, and offers 2,400 TB Written endurance with 256-bit AES hardware encryption.

 

Specifications

Model Number:  MZ-VAP4T0BW

Brand: Samsung

Alt Part Number(s):  MZ-VAP4T0BW

Product Type:  Solid State Drive

 

Technical Description

Brand:  Samsung

Model:  MZ-VAP4T0BW

Series:   9100 PRO

Capacity: 4 TB

Interface: PCIe Gen 5.0 x4

Protocol: NVMe 2.0 standard

Form Factor: Single-sided M.2 2280

Flash Type: Samsung V-NAND TLC

Read Speed: Up to 14,800 MB/s

Write Speed: Up to 13,400 MB/s

Random Read: 2,200,000 IOPS

Random Write: 2,600,000 IOPS

DRAM Cache: 4 GB LPDDR4X buffer

Endurance: 2,400 TB Written

Security: 256-bit AES hardware encryption

Reliability: 1.5 million hours MTBF

 

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Descrição, características do produto

The Samsung MZ-VAP4T0BW 4TB is a single-sided M.2 2280 NVMe PCIe Gen 5.0 x4 solid-state drive manufactured by Samsung as part of their 9100 PRO Series. This high-capacity drive features 4 GB LPDDR4X cache, Samsung V-NAND TLC, delivers sequential read and write speeds up to 14,800 MB/s and 13,400 MB/s with random performance up to 2,200,000 IOPS read and 2,600,000 IOPS write, and offers 2,400 TB Written endurance with 256-bit AES hardware encryption.

 

Specifications

Model Number:  MZ-VAP4T0BW

Brand: Samsung

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Product Type:  Solid State Drive

 

Technical Description

Brand:  Samsung

Model:  MZ-VAP4T0BW

Series:   9100 PRO

Capacity: 4 TB

Interface: PCIe Gen 5.0 x4

Protocol: NVMe 2.0 standard

Form Factor: Single-sided M.2 2280

Flash Type: Samsung V-NAND TLC

Read Speed: Up to 14,800 MB/s

Write Speed: Up to 13,400 MB/s

Random Read: 2,200,000 IOPS

Random Write: 2,600,000 IOPS

DRAM Cache: 4 GB LPDDR4X buffer

Endurance: 2,400 TB Written

Security: 256-bit AES hardware encryption

Reliability: 1.5 million hours MTBF

 

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