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Samsung BM1743 MZ3MO30THCLF-00AW7 30.72TB PCIe Gen.5 E3.S Solid State Drive
Samsung BM1743 MZ3MO30THCLF-00AW7 30.72TB PCIe Gen.5 E3.S Solid State Drive

Samsung BM1743 MZ3MO30THCLF-00AW7 30.72TB PCIe Gen.5 E3.S Solid State Drive

por Samsung
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Overview

 Samsung BM1743 MZ3MO30THCLF-00AW7 30.72TB PCIe Gen.5 E3.S Solid State Drive

Specifications

Model Number:MZ3MO30THCLF-00AW7

Brand:   Micron

Alt Part Number(s):MZ3MO30THCLF-00AW7

Product Type: Solid State Drive

Technical Description

Brand:  Micron

Model:MZ3MO30THCLF-00AW7

Form Factor: E3.S (1T)

Interface: PCI Express Gen.5 x4

Bytes per Sector: 512 (default), 520, 4096, 4104, 4112, 4160 Bytes

Sequential Read: Up to 12,500 MB/s

Sequential Write: Up to 2,000 MB/s

Random Read: 30.72TB: Up to 1,700 KIOPS

Random Write: Up to 110 KIOPS

Sequential Read / Write: 150 / 100 us

Random Read / Write: 150 / 20 us

Drive Ready Time: Up to 1 Sec

Uncorrectable Bit Error Rate: 1 sector per 10^17 bits read

MTBF: 2,500,000 hours

Component Design Life: 5 years

Endurance: 0.26 DWPD

TBW: 14.576 PB

Data Retention: 3 month

Operating (Tcomp): 0 ~ 70 °C

Non-operating (Temp): -40 ~ 85 °C

Humidity (Non-condensing): 5 ~ 95%

Shock (Non-operating): 1,500 G / 0.5 msec

Vibration (Non-operating): 20G

Supply Voltage / Tolerance: 12V +/- 10%

Read Power: 23.8 W

Write Power: 24.6 W

Idle (typ.): 5 W

*

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Descrição, características do produto

Overview

 Samsung BM1743 MZ3MO30THCLF-00AW7 30.72TB PCIe Gen.5 E3.S Solid State Drive

Specifications

Model Number:MZ3MO30THCLF-00AW7

Brand:   Micron

Alt Part Number(s):MZ3MO30THCLF-00AW7

Product Type: Solid State Drive

Technical Description

Brand:  Micron

Model:MZ3MO30THCLF-00AW7

Form Factor: E3.S (1T)

Interface: PCI Express Gen.5 x4

Bytes per Sector: 512 (default), 520, 4096, 4104, 4112, 4160 Bytes

Sequential Read: Up to 12,500 MB/s

Sequential Write: Up to 2,000 MB/s

Random Read: 30.72TB: Up to 1,700 KIOPS

Random Write: Up to 110 KIOPS

Sequential Read / Write: 150 / 100 us

Random Read / Write: 150 / 20 us

Drive Ready Time: Up to 1 Sec

Uncorrectable Bit Error Rate: 1 sector per 10^17 bits read

MTBF: 2,500,000 hours

Component Design Life: 5 years

Endurance: 0.26 DWPD

TBW: 14.576 PB

Data Retention: 3 month

Operating (Tcomp): 0 ~ 70 °C

Non-operating (Temp): -40 ~ 85 °C

Humidity (Non-condensing): 5 ~ 95%

Shock (Non-operating): 1,500 G / 0.5 msec

Vibration (Non-operating): 20G

Supply Voltage / Tolerance: 12V +/- 10%

Read Power: 23.8 W

Write Power: 24.6 W

Idle (typ.): 5 W

*

Informações e formas de pagamento

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