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Samsung 990 MZ-V9V2T0B/AM 2TB PCIe Gen4 x4 NVMe M.2 SSD
Samsung 990 MZ-V9V2T0B/AM 2TB PCIe Gen4 x4 NVMe M.2 SSD

Samsung 990 MZ-V9V2T0B/AM 2TB PCIe Gen4 x4 NVMe M.2 SSD

por Samsung
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Samsung MZ-V9V2T0B/AM 990 is a 2 TB PCIe Gen4 x4 NVMe solid state drive featuring Samsung V-NAND, HMB cache memory, an M.2 2280 form factor, sequential read speeds up to 7,250 MB/s, and sequential write speeds up to 6,450 MB/s. It delivers high-performance storage with up to 850K IOPS random read, 1,200K IOPS random write, 800 TBW endurance, AES 256-bit full disk encryption support, and a 3 year limited warranty.

 

Specifications

Model Number:  MZ-V9V2T0B/AM

Brand:  Samsung

Alt Part Number(s):  MZ-V9V2T0B/AM

Product Type:  Solid State Drive


Technical Description

Brand:  Samsung

Model:  MZ-V9V2T0B/AM

Series:  990

Capacity: 2 TB

Form Factor: M.2 (2280)

Storage Memory: Samsung V-NAND

Cache Memory: HMB (Host Memory Buffer)

Dimensions: Max 80.15 x 22.15 x 2.38 mm

Weight: Max 9.0 g

Sequential Read: Up to 7,250 MB/s

Sequential Write: Up to 6,450 MB/s

Random Read: 850K IOPS

Random Write: 1,200K IOPS

Endurance: 800 TBW (Terabytes Written)

MTBF: 1.5 million hours

Interface: PCIe Gen 4.0 x4; NVMe 2.0

Encryption Support: AES 256-bit Full Disk Encryption; TCG/Opal V2.0; Encrypted Drive (IEEE1667)

Power Consumption (Idle): Typical 55 mW

Device Sleep Mode: Supported (3 mW typical)

Software: Samsung Magician Software

Warranty: 3-year limited warranty

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Descrição, características do produto

Samsung MZ-V9V2T0B/AM 990 is a 2 TB PCIe Gen4 x4 NVMe solid state drive featuring Samsung V-NAND, HMB cache memory, an M.2 2280 form factor, sequential read speeds up to 7,250 MB/s, and sequential write speeds up to 6,450 MB/s. It delivers high-performance storage with up to 850K IOPS random read, 1,200K IOPS random write, 800 TBW endurance, AES 256-bit full disk encryption support, and a 3 year limited warranty.

 

Specifications

Model Number:  MZ-V9V2T0B/AM

Brand:  Samsung

Alt Part Number(s):  MZ-V9V2T0B/AM

Product Type:  Solid State Drive


Technical Description

Brand:  Samsung

Model:  MZ-V9V2T0B/AM

Series:  990

Capacity: 2 TB

Form Factor: M.2 (2280)

Storage Memory: Samsung V-NAND

Cache Memory: HMB (Host Memory Buffer)

Dimensions: Max 80.15 x 22.15 x 2.38 mm

Weight: Max 9.0 g

Sequential Read: Up to 7,250 MB/s

Sequential Write: Up to 6,450 MB/s

Random Read: 850K IOPS

Random Write: 1,200K IOPS

Endurance: 800 TBW (Terabytes Written)

MTBF: 1.5 million hours

Interface: PCIe Gen 4.0 x4; NVMe 2.0

Encryption Support: AES 256-bit Full Disk Encryption; TCG/Opal V2.0; Encrypted Drive (IEEE1667)

Power Consumption (Idle): Typical 55 mW

Device Sleep Mode: Supported (3 mW typical)

Software: Samsung Magician Software

Warranty: 3-year limited warranty

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