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Micron MTFDLBN61T4THL-1BK1DFCYYT 6550 ION 61.44TB PCIe Gen 5 x4 NVMe 2.0b E1.L SSD
Micron MTFDLBN61T4THL-1BK1DFCYYT 6550 ION 61.44TB PCIe Gen 5 x4 NVMe 2.0b E1.L SSD

Micron MTFDLBN61T4THL-1BK1DFCYYT 6550 ION 61.44TB PCIe Gen 5 x4 NVMe 2.0b E1.L SSD

por Micron
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Micron MTFDLBN61T4THL-1BK1DFCYYT 6550 ION is a 61.44 TB enterprise NVMe solid-state drive designed for high-density data center storage in an E1.L 9.5 mm form factor. This PCIe Gen5 x4 NVMe 2.0b SSD uses 232-layer TLC NAND and delivers up to 14,000 MB/s sequential read, 7,000 MB/s sequential write, 1,600,000 IOPS random read, and 70,000 IOPS random write performance for large-scale storage and cloud workloads.

 

Specifications

Model Number:  MTFDLBN61T4THL-1BK1DFCYYT

Brand: Micron 

Alt Part Number(s):  MTFDLBN61T4THL-1BK1DFCYYT

Product Type:  Solid State Drive

 

Technical Description

Brand:  Micron 

Model:  MTFDLBN61T4THL-1BK1DFCYYT

Series:   6550 ION

Capacity: 61.44 TB

Form Factor: E1.L (9.5 mm)

Interface: PCIe Gen5 x4

Protocol: NVMe 2.0b

NAND Type: Micron 8th-Gen (G8) 232-Layer TLC

Sector Size: 512 Bytes / 4096 Bytes

Sequential Read: Up to 14,000 MB/s

Sequential Write: Up to 7,000 MB/s

Random Read (4KB): Up to 1,600,000 IOPS

Random Write (4KB): Up to 70,000 IOPS

 

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Descrição, características do produto

Micron MTFDLBN61T4THL-1BK1DFCYYT 6550 ION is a 61.44 TB enterprise NVMe solid-state drive designed for high-density data center storage in an E1.L 9.5 mm form factor. This PCIe Gen5 x4 NVMe 2.0b SSD uses 232-layer TLC NAND and delivers up to 14,000 MB/s sequential read, 7,000 MB/s sequential write, 1,600,000 IOPS random read, and 70,000 IOPS random write performance for large-scale storage and cloud workloads.

 

Specifications

Model Number:  MTFDLBN61T4THL-1BK1DFCYYT

Brand: Micron 

Alt Part Number(s):  MTFDLBN61T4THL-1BK1DFCYYT

Product Type:  Solid State Drive

 

Technical Description

Brand:  Micron 

Model:  MTFDLBN61T4THL-1BK1DFCYYT

Series:   6550 ION

Capacity: 61.44 TB

Form Factor: E1.L (9.5 mm)

Interface: PCIe Gen5 x4

Protocol: NVMe 2.0b

NAND Type: Micron 8th-Gen (G8) 232-Layer TLC

Sector Size: 512 Bytes / 4096 Bytes

Sequential Read: Up to 14,000 MB/s

Sequential Write: Up to 7,000 MB/s

Random Read (4KB): Up to 1,600,000 IOPS

Random Write (4KB): Up to 70,000 IOPS

 

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