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Micron 3.84TB NVMe 22110 M.2 PCIe Gen 3.0 x4 RI SED SSD 7300 PRO MTFDHBG3T8TDF

por Micron
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The Micron 7300 PRO 3.84TB NVMe SSD is an enterprise-class, Read Intensive (RI) solid-state drive designed for high-performance data center and server workloads. Built on PCIe Gen 3.0 x4 NVMe architecture and housed in an M.2 22110 form factor, this drive delivers strong read performance, enterprise endurance, and advanced security features.

Core Technical Specifications

  • Capacity: 3.84TB

  • Endurance Class: Read Intensive (RI)

  • Endurance Rating: 1 DWPD

  • Total Bytes Written (TBW): 10,035.20 TB

  • Interface: PCI Express NVMe 3.1 x4

  • Form Factor: M.2 22110 (22mm × 110mm)

  • NAND Type: Micron 96-layer 3D TLC NAND

Performance

  • Sequential Read Speed: Up to 3,000 MB/s

  • Sequential Write Speed: Up to 1,000 MB/s

  • Random Read (4KB): Up to 520,000 IOPS (QD512, steady state)

  • Random Write (4KB): Up to 75,000 IOPS (QD512, steady state)

Reliability & Power

  • MTBF: 2,000,000 hours

  • Operating Power Consumption: ~8.25 W (sequential write)

Security & Data Protection

  • Self-Encrypting Drive (SED)

  • 256-bit AES hardware encryption

  • TCG Opal 2.0 compliance

  • Secure firmware

  • End-to-end data path protection

  • Power-loss data protection

  • Adaptive thermal monitoring

  • RAIN (Redundant Array of Independent NAND) technology

Part Number Identification

  • Micron Part Numbers:

    • MTFDHBG3T8TDF-1AW12ABYY

    • MTFDHBG3T8TDF

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Micron 3.84TB NVMe 22110 M.2 PCIe Gen 3.0 x4 RI SED SSD – 7300 PRO Series (MTFDHBG3T8TDF)

The Micron 7300 PRO 3.84TB NVMe SSD is an enterprise-class, Read Intensive (RI) solid-state drive designed for high-performance data center and server workloads. Built on PCIe Gen 3.0 x4 NVMe architecture and housed in an M.2 22110 form factor, this drive delivers strong read performance, enterprise endurance, and advanced security features.

Core Technical Specifications

  • Capacity: 3.84TB

  • Endurance Class: Read Intensive (RI)

  • Endurance Rating: 1 DWPD

  • Total Bytes Written (TBW): 10,035.20 TB

  • Interface: PCI Express NVMe 3.1 x4

  • Form Factor: M.2 22110 (22mm × 110mm)

  • NAND Type: Micron 96-layer 3D TLC NAND

Performance

  • Sequential Read Speed: Up to 3,000 MB/s

  • Sequential Write Speed: Up to 1,000 MB/s

  • Random Read (4KB): Up to 520,000 IOPS (QD512, steady state)

  • Random Write (4KB): Up to 75,000 IOPS (QD512, steady state)

Reliability & Power

  • MTBF: 2,000,000 hours

  • Operating Power Consumption: ~8.25 W (sequential write)

Security & Data Protection

  • Self-Encrypting Drive (SED)

  • 256-bit AES hardware encryption

  • TCG Opal 2.0 compliance

  • Secure firmware

  • End-to-end data path protection

  • Power-loss data protection

  • Adaptive thermal monitoring

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  • Micron Part Numbers:

    • MTFDHBG3T8TDF-1AW12ABYY

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